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7月30日，2021第三代半導(dǎo)體快充產(chǎn)業(yè)峰會在深圳圓滿舉辦，現(xiàn)場近百家快充芯片原廠及快充產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)出席，共同探討第三代半導(dǎo)體快充發(fā)展新趨勢。瑞芯微在現(xiàn)場展出了兩款全新通用快充協(xié)議芯片RK835、RK837及部分已量產(chǎn)的品牌快充產(chǎn)品，備受關(guān)注。

圖：峰會現(xiàn)場

 

       瑞芯微快充協(xié)議芯片RK835及RK837，均支持PD2.0/PD3.0/QC2.0/3.0/4.0/4.0+/ VOOC協(xié)議。內(nèi)部集成Arm Cortex-M0內(nèi)核，56K Flash實現(xiàn)PD和其他專有協(xié)議，可支持10萬次以上的重復(fù)燒錄。其中，RK837可支持恒壓恒流。

 

RK835 芯片特性：

• 內(nèi)部集成的ADC可以連續(xù)地檢測電壓，電流，溫度和通過GPIO引腳反饋的系統(tǒng)參數(shù)

• 所有的GPIO均可配置成邊緣觸發(fā)中斷，DP/DM引腳可配置UART模式和BC1.2模式

• 支持I2C接口和主從模式，內(nèi)部集成了輸出放電功能，支持18到100W輸出

• DP/DM/CC1/CC2引腳均支持24V耐壓，可有效防止損壞的數(shù)據(jù)線造成產(chǎn)品損壞，并內(nèi)置了過流、過壓和過熱保護

 

RK837芯片特性：

• 支持USBType-C和Type-A雙接口，支持I2C接口

• 集成NMOS驅(qū)動，VBUS開關(guān)管可使用低成本性能好的NMOS，內(nèi)部集成快速放電電路

• 內(nèi)部集成高精度ADC，可實現(xiàn)3-22V以10mV精度輸出，使用5mΩ取樣電阻，可實現(xiàn)0.1-12A以12mA精度恒流

• DP/DM/CC1/CC2引腳均支持26V耐壓，可有效防止損壞的數(shù)據(jù)線造成產(chǎn)品損壞，芯片還內(nèi)置了過流、過壓和過熱保護

 

圖：搭載RK837的快充產(chǎn)品

 

       瑞芯微RK835及RK837能夠快速便捷地與各類電源芯片對接，芯片內(nèi)部支持完善的保護功能，可實現(xiàn)簡單可靠的適配器設(shè)計，適用于快充充電器、移動電源等產(chǎn)品類型。目前，兩顆通用快充協(xié)議芯片均已量產(chǎn)并大規(guī)模應(yīng)用于國內(nèi)知名品牌手機快充充電器中，性能穩(wěn)定可靠。